고속피막첨가제


고속 아노다이징은 FARADAY의 법칙을 기초로 합니다. 전해에 의한 산화 피막이 화성화 되는 현상을 보면, 산화 피막의 두께는 전해에 사용한 총 전류량에 의하여 결정 됩니다. 예를 들어 (1A/dm2)의 전류를 사용하여 아노다이징을 하여 1분에 0.3μ의 피막을 화성한다면, 60분간 작업 시 아래의 식과 같이 18μ의 피막두께를 얻을 수 있습니다.

- (1A/dm2) × (0.3μ) × (60분) = 18μ (연질기준) 따라서, 전류량을 3배(3A/dm2) 증가할 경우
20분으로 18μ(3A/dm2) × (0.3μ) × (20분) = 18μ)의 피막을 화성함으로써 시간을 1/3 단축 할 수 있습니다.

이처럼 이론적으로 고속 아노다이징이 가능함을 알 수 있습니다. 그러나 현재의 아노다이징 처리 방법으로는 전해 정도를 3A/dm2로 상승 시켰을 경우 BURINING, BLOOM , PIT 등의 문제가 발생 할 수 있습니다. 이러한 부작용을 해결하는 첨가 액을 첨가하여 정 전압, 정 전류의 정류기를 사용하여 부작용이 없는 고속 양극 산화를 할 수 있습니다.


사용법

  • 황산 (H2SO4) : 280g/L
  • SPH2 : 50g/L
  • 작업 온도 : 0℃ ~ 25℃
  • 전류값 : 1A/dm2 ~ 3A/dm2

PRODUCT

고속피막첨가제

DIA 디스머트

알루미늄용 스머트 제거제

고속 아노다이징은 FARADAY의 법칙을 기초로 합니다. 전해에 의한 산화 피막이 화성화 되는 현상을 보면, 산화 피막의 두께는 전해에 사용한 총 전류량에 의하여 결정 됩니다. 예를 들어 (1A/dm2)의 전류를 사용하여 아노다이징을 하여 1분에 0.3μ의 피막을 화성한다면, 60분간 작업 시 아래의 식과 같이 18μ의 피막두께를 얻을 수 있습니다.

- (1A/dm2) × (0.3μ) × (60분) = 18μ (연질기준) 따라서, 전류량을 3배(3A/dm2) 증가할 경우
20분으로 18μ(3A/dm2) × (0.3μ) × (20분) = 18μ)의 피막을 화성함으로써 시간을 1/3 단축 할 수 있습니다.

이처럼 이론적으로 고속 아노다이징이 가능함을 알 수 있습니다. 그러나 현재의 아노다이징 처리 방법으로는 전해 정도를 3A/dm2로 상승 시켰을 경우 BURINING, BLOOM , PIT 등의 문제가 발생 할 수 있습니다. 이러한 부작용을 해결하는 첨가 액을 첨가하여 정 전압, 정 전류의 정류기를 사용하여 부작용이 없는 고속 양극 산화를 할 수 있습니다.

사용법

  • 황산 (H2SO4) : 280g/L
  • SPH2 : 50g/L
  • 작업 온도 : 0℃ ~ 25℃
  • 전류값 : 1A/dm2 ~ 3A/dm2